半導體照明（LED照明），是上世紀90年代發展起來的新一代冷光源，具有傳統光源無可比擬的優勢：節約能源、保護環境（不含汞等有害物質）、壽命長（5萬小時）、減少維護費用、提供更好的燈光品質、改進燈光視覺效果和安全性，這些都使LED技術在眾多基礎設施建設中得到越來越多的應用。
人類現代化文明造成的能源危機警示我們：節能環保刻不容緩，資源的開發利用需要可持續發展。從2003年起，全國大部分地區遭遇了新一輪的電力短缺。電力短缺的情況促進了電力的發展，但同時也引發了我們對替代能源和新能源的思考。
照明能耗在整個電力消耗中占了舉足輕重的位置，美國能源部數據顯示，美國22%的電力消耗于照明領域。國內更甚，以上海為例，照明用電占上海全市用電的1/3以上，既節能又環保的照明革命迫在眉睫。
據調查，如果以LED取代圣誕樹上的彩燈，美國在每年12月至少節電20億千瓦時，相當于200萬個家庭整整一年的用電量。而美國實現燈泡全面換代之后，從2012年到2030年，美國在照明能耗上的開支將節省400億美元，這將意味著可以少建14座熱力電廠和每年減少至少5100萬噸的碳排放。而一系列相應的措施也正在如火如荼地展開：美國計劃在未來12年內，逐步淘汰白熾燈，改用節能環保的新式照明燈，新式照明燈將比目前燈泡至少節電70%;澳大利亞政府宣布，將在2010年之前全面禁止使用白熾燈照明。
由于LED的節能特點，世界各國對LED的研發生產都極為重視。日本已經實現1998-2002年耗費50億日元推行白光照明，目前已基本上完成用白光LED照明替代50%的傳統照明，整個計劃的財政預算為60億日元。美國能源部設立了有13個國家重點實驗室、公司和大學參加的“半導體照明國家研究項目”,計劃用10年時間，耗資5億美元開發半導體照明，計劃從2000-2010年，投資5億美元，用LED取代55%的白熾燈和熒光燈。
歐盟則委托6個大公司、2所大學，于2000年7月啟動了“彩虹計劃”.我國于2003年緊急啟動了國家半導體照明工程；我國臺灣也在組織實施相關計劃，設立了有16個生產科研單位和大學參加的“21世紀照明光源開發計劃”.
其中，世界各國對半導體照明相關產業的政策如下：
（一）韓國半導體照明相關產業政策概述：
韓國在發展高新技術方面，以微電領域為先導，為此制定了具體的措施，制定高新技術發展規劃。明確重點發展微電子、光電子、機電一體化，新材料、精細化工、生物工程和航空等七大領域。對研究開發和生產銷售的全過程實行一條龍的組織管理、興建了現代化科研基地、科技城等，構建最新科技信息網絡，加強與發達國家的技術交流與科研合作，加大對高新技術項目的投資力度。
從世界范圍來看，半導體產業最早起源于美國，早在50年代，美國就開發出世界第一個DRAM芯片和MPU芯片。日本在80年代成功地趕超了美國，將美國擠出了DRAM市場。80年代初，韓國開始大力發展半導體產業，雖然初期韓國的技術、資金、市場都不如美國、日本等半導體先進國家，半導體產業的投資規模又大，但韓國在90年代成功地實現了趕超，在國際DRAM（動態存儲器）市場上取得了領先地位。
1974年，韓國第一家本地半導體公司由具有半導體設計經驗的韓裔美籍科學家建立。1975年，被三星收購，三星從而逐漸開始生產各種晶體管和集成電路。1982年，三星決定大規模進入半導體業，并建立了一個半導體R&D實驗室，主要集中于雙極的和金屬氧化物半導體（MOS）的逆向工程和技術知識吸收。
韓國微電子工業的發展一直是以大企業集團為主體，其中尤其以三星公司為代表。三星從20世紀80年代早期開始介入大規模集成電路行業，1983年，三星公司開始生產64KDRAM,當時落后美日近四年之久，三星從單純的技術模仿開始，通過積極主動的技術學習，不斷地積累技術能力、進行技術創新，歷經256K（落后兩年）、1M（落后日本一年）、4M（落后六個月）、16M（落后三個月），到64M時與美日同步，到256M,超前美日半年推出，由后進到追趕而迎頭趕上，三星公司僅用了10年時間。
到1994年，三星成為世界上排名第一的DRAM制造商和第七大半導體制造商，其他韓國廠商，如現代、金星等也位居世界前列。1996年，成功開發出世界上第一個1GBDRAM;1994年，成功推出網絡可視手機CDMA手表式手機等。
韓國半導體產業的成功，主要得益于韓國政府1980年代以來，在高技術產業方面實施的重點扶持政策，“主要依靠政府投資”拉動該產業的迅速發展，其間，來自政府的投入占了整體投入的一半以上。此后，政府直接投資開始減少，來自于大企業、大銀行的投資開始上升。在財政支持方面，韓國政府成立了專門針對高新技術產業的韓國新技術支持金融公司，以企業形式對相關項目實施國家支持。1975年，韓國政府制訂了推動半導體業發展的六年計劃，在產業發展初期，政府建立了韓國高級科學技術研究院（KAIST）和韓國電子技術研究所（KIET），進行超大規模集成電路的研究，不僅為韓國微電子工業的發展起到了重要的作用，更重要的是為韓國培養了大批微電子方面的人才。
微電子每下一代的研發費用都在呈指數規律增長。韓國政府為了避免企業之間重復投資，迅速提高本國企業的技術能力。1986年10月，政府將4MDRAM列為國家項目。將韓國三大半導體制造商：三星、LG、現代結盟進行開發，由一個政府研究所--電子與電信研究所（ETRI），作為這三大廠商和6所大學的協調者。目標是到1989年開發出和規模生產4MDRAM,完全消除與日本公司的技術差距。三年中（1986-1989）R&D共花了1.1億美元，政府承擔了其中的57%,遠超過其他國家項目。
1988年，三星在三大企業中第一個宣布完成4MDRAM設計，只落后日本6個月。三星共申報了4MDRAM的56項專利，LG是40項，現代是38項，大學是3項，ETRI是11項。后來三星成功開發出16MDRAM,落后日本時間縮短為3個月。64M和256MDRAM的開發上，韓國政府也將列為國家項目，并組織了類似的結盟。但三個大企業都已建立了獨立的研究開發能力，拒絕與競爭者共享知識。
1992年8月，三星與日本廠商同時開發出64MDRAM.1994年下半年，三星成為世界上第一個商用64MDRAM供應商，供給HP,IBM和SUN等大公司。1994年8月，在投資1.50億美元30個月后，三星成功開發出世界上第一個完全可用的256MDRAM樣品，在處理大批量數據上能力有了顯著提高。三星在這一時期內部研究開發實力已經得到了很大的提高，其R&D投資由1980年的8.5百萬美元上升到1994年的891.6百萬美元。同期R&D占總銷售額的比重從2.1%上升到6.2%,韓國本地授予的專利數量從1980年的4件上升到194年的1,413件，三星研究開發能力取得了很大的飛躍。
韓國微電子產業成功發展中，有兩個重要因素：一個是政府的作用，政府如何有效地參與和調控產業的發展是其關鍵；同樣，在韓國的模式中，人才的培養和核心技術的突破，也都是依賴于政府的作用。二是，政府、研究所和三大企業成立的聯合研究開發項目，對于韓國整體微電子行業的技術升級起到了關鍵的作用，使得韓國企業不僅能夠在4M和16MDRAM實現自主開發的突破，而且能夠得以在國際市場上形成強有力的競爭地位。
同時韓國政府非常重視中小企業發展，認為它們才是發展本國自主產業的主要力量。目前這些中小企業的發展大都定位于前沿技術的研發，瞄準自有專利技術的產業化。在技術轉移平臺營造方面，韓國政府每年撥付專款用于支持中小企業孵化，銀行、風險投資財團也給予鼎力協助。韓國政府在支持LG、三星、現代等大企業在技術開發的同時，讓中小企業也參與進來，以避免技術分布的不平衡，從而帶動整個產業發展。
（二）美國半導體照明相關產業政策概述：
70年代前，美國沒有明顯的產業政策，主要是通過產業組織政策反對壟斷，但是在經歷了70年代的經濟萎縮后，歐美國家開始注意研究政府在經濟發展中的作用，特別是面對日本的迅速崛起與競爭，歐美國家更加關注日本發展中的產業政策作用。
取了一系列特殊的稅收優惠政策，刺激企業不斷增加對R&D的投入，美國國會通過一系列法案，進一步挖掘聯邦開發計劃的商業潛力，建立政府與民間的合作關系，提高美國的競爭力。
1988年商業和競爭混合法案，使美國政府與民間聯合更加緊密。克林頓政府《為了國家利益的科學》、《為了國家利益的技術》總統報告，使企業界對政府制定研究開發的重點產生影響，而且在政府的幫助下保持國際競爭力。美國的半導體、光電、汽車等都從與政府的密切關系中獲得了巨大利益。布什政府科技政策的一個明顯的特征是在重視長遠考慮，即在加強基礎研究、普及科學教育與提高教育質量的同時，加強了科技成果和新技術的迅速商品化，這在很大程度上突破了傳統的政策制定思路。
美國的國家政策中把高技術培植及產業化發展、完善市場規則及競爭環境等作為其長期目標，通過立法形式確立下來，從體制上為眾多企業的壯大創造了外部條件。
下列措施在美國以科技促進產業發展過程過程中發揮了巨大的作用：
重視基礎研究和應用研究
政府加強了對R&D活動的資金支持，增加聯邦投資，支持基礎研究；1997年全年美國用于研究與開發的總支出達到2056億美元，比1996年的1932億美元增加6.5%.扣除通貨膨脹因素的影響，1997年美國R&D總支出的實際增長率為3.8%.與經濟指標相比，美國國內生產總值（GDP）的實際增長率（扣除通貨膨脹因素的影響）為2.4%,從而美國全國的R&D總支出的增長率明顯高于經濟的增長率。在美國1997年全年研究與開發總支出的2056億美元中，用于基礎研究、應用研究、開發的支出分別為311億美元、462億美元、1283億美元，分別占總支出的15.1%、22.5%、62.4%.與1996年相比，扣除通貨膨脹影響，基礎研究、應用研究、開發這三類支出的實際增長率大約分別為2.8%、3.9%、4.0%.
強化科學決策
簡化聯邦政府的決策機構和機制以消除有礙于產業競爭的不必要和繁雜的規則和慣例，加強科學顧問在政策制定過程中的作用。
以高校為依托組建多學科的工程研究中心
通過從事有意義的跨學科的研究工作，提高大學的創新能力，培養出優秀的工程師，幫助企業提高其在國際市場上的競爭能力，是新型科技一教育一生產相結合的新形式。
激勵大學、企業從事R&D活動
美國政府通過一系列激勵措施鼓勵大學、企業從事R&D活動。
改變政府直接參與科技活動，政府部門起主導性作用的局面，側重通過私人部門的刺激，政府通過營造更有利于私人部門創新的環境來促進民間研究開發的活動；美國政府以“研究合同、研究資助和合作研究”等形式向企業、高等院校或其他部門撥款，極大地刺激了企業與高校的技術創新的積極性。
美國在1978年頒布的《研究與開發法案》就規定企業用于R&D的盈利部分，不予征稅。
1982年美國國會通過的《S項修改法案》規定知識密集型公司可以少交1/3的稅款。
在科技政策方面，開辟了從“總量支持”到“邊際支持”的時代。其一，針對企業R&D的稅收優惠。1981年通過了《經濟復興稅收法》，規定企業在R&D方面超過三年平均水平的開支增加額即可享受25%的稅收減免；60年代初，美國聯邦政府對R&D的資助是整個R&D投入的65%,直至1980年，美國企業界的R&D投入開始超過政府，隨后幾年增長率保持在7.3%.1985-1990年，年平均增長分別為2.2%和3.7%,從1993年開始，美國企業界的R&D的投入開始逐年迅速增長，1994、1995年兩年以兩位數高速增長，1996年，企業界R&D的投入為1135億美元，約占全國R&D總支出的61.6%.據分析家估計，美國企業界R&D經費今后數年仍保持增長勢頭，2004年將超過2500億美元，占全國R&D總額的71.5%.
加強知識產權保護
不但在美國過內加強知識產權保護，并通過“烏拉圭回合”加強在世界范圍內對美國知識產權的保護。
促進技術向經濟轉化
鼓勵技術創新，并通過建立激勵機制、鼓勵研究人員的創業精神來推動高新技術的產業化和商品化。如1980年美國出臺的BayDole法案，在80年代初期，對美國的高技術成果的轉化起了很大的推動作用。1993年發表《促進經濟增長的技術---增強經濟實力的新方向》和《促進經濟增長的技術---總統的發展報告》等報告。根據當代科技和經濟的變化，加強了相關學科研究，減少技術向經濟效益轉化的障礙，重點強化了聯邦技術向私人部門的轉移。把由政府主導或擁有的技術成果，通過適當的途徑轉移到民間部門，主要通過企業、大學與聯邦實驗室體系的合作。允許多數聯邦實驗室將專利技術以排它性方式授予企業和大學，以鼓勵私營企業進一步投入資源，促進了聯邦技術向民間的轉移，實現聯邦成果的商業化，吸收民間資源，實現這些技術的商業化和民用，促進了大學、企業和聯邦實驗室的相互合作，發揮利用政府資源推動民間資本的杠桿作用，促進產業科技創新。為此先后制定了《大學和小企業專利程序法》、《技術創新法》、《聯邦技術轉移法》等。
同時美國政府還通過放寬反托拉斯法的規定，促進企業之間的合作，同時通過鼓勵科技方面的國際合作、振興科技教育等舉措確保美國的產業發展。
由政府組織研究機構和企業共同完成高技術的研究、開發和轉化。如美國政府資助聯邦實驗室與企業界合作。發達國家用風險投資辦法來解決高技術企業起步階段資金上的困難，并通過整合政府、企業、研究機構各方面的資源，及利用很多中小型高技術企業出現的成熟技術與自己的關鍵技術集成形成高科技產品。
它山之石--美國Sematech
在政府財政資助下、成功的戰略技術聯盟莫過于美國的半導體制造技術戰略聯盟-Sematech在美國，80年代末90年代初，半導體產業是最大的高技術產業之一，而且，該產業還為其它的高技術產業提供產品，如電子計算機設備以及電訊設備；同時，半導體產業還排在研究發展活動最密集的產業行列。
正因如此，為鼓勵改進美國的半導體生產技術，1987年，在美國政府年預算補貼10億美元的資助下，14個在美國半導體制造業中居領先地位的企業組成R&D戰略技術聯盟，即Sematech.其使命有二：其一，提高半導體技術的研究數量；其二，為聯盟內的成員企業提供研發資源，使其能夠分享成果、減少重復研究造成的浪費。Sematech集中于一般的過程研發，而不是產品研發。
根據一些學者的研究，這種戰略技術聯盟會潛在地使其成員企業受益，并不會威脅它們的核心能力。Sematech負責購買、測試半導體制造設備，將技術知識傳播給其成員企業，通過統一購買和測試可以減少企業重復開發、檢驗新的工具，從而降低設備開發及引進的成本。
由于成立Sematech的宗旨是提高美國國內半導體產業的技術，因此，其成員只限于美國國內的半導體企業，國外企業在美國的子公司不能加入（如1988年，日立公司在美國的分公司的加入申請就被拒絕），但是，對與國外企業進行合作經營的合資企業沒有限制。Sematech不能參與半導體產品的銷售，不能設計半導體產品，不能限制其成員企業在戰略聯盟以外的R&D支出。
Sematech的成員企業有義務為聯盟提供資金資源和人力資源。如成員企業需將其半導體銷售收益的1%上繳給聯盟，也就是說，最低交納1百萬美元，最高交納1500萬美元；在人力資源方面，在Sematech內的400個技術人員中，大約有220個來自于其成員企業，來自戰略技術聯盟成員企業的技術人員將在Sematech在奧斯汀的總部工作6到30個月。雖然Sematech也存在一些缺點，如其交納成員費政策（成員企業需將半導體銷售收益的1%上繳給聯盟，最低交納1百萬美元，最高交納1500萬美元）就廣受批判。這一費用對銷售額低于1000萬美元的企業是相當重的財政負擔、而對銷售額超過15億美元的企業來說卻又微不足道。
據一些較小規模的企業稱，他們負擔不起如此昂貴的費用，也不能將其企業中最好的技術人員派到Sematech總部工作一年或更長的時間。而且，即使它們可以加入Sematech,它們對共同研究的進程的影響也非常有限。但是，也應當看到，美國的半導體技術研究戰略聯盟逐漸使其成員企業降低用于R&D活動的支出，減少了重復研究，實現研究成果共享。這意味著，聯盟內的R&D支出比單個企業的R&D支出更有效率，即R&D支出減少，而研究活動增加；或者說用更少的支出，做相同數量的研究。同時也意味著，如果沒有政府的預算資助，聯盟內的成員企業更傾向于自主地資助戰略聯盟的R&D活動。同時，研究也表明，Sematech對非成員的半導體企業的技術溢出也在提高。
（三）日本半導體照明相關產業政策概述：
日本是產業政策的發起國，也是成功實行產業政策的典型國家，產業政策的成功實施使日本趕超發展戰略得以實現。日本政府通過提高研究項目評價的透明度和公開性，推進基礎研究的水平；通過競爭性研究資金的倍增計劃，強化產業競爭力、改革產、學、官的構成系統。可供借鑒的有：
競爭性研究環境的營造
通過增加競爭性研究資金的比例，改革現有的研究評價體制，延長研究人員的聘任期（從3年延長到5年）等舉措即為科學家創造可以發揮其獨創性的競爭環境；又使其所從事的科學研究適應國家發展戰略目標和社會公眾的需求，從科學的、經濟的、社會的這三個角度進行評價和公共選擇。
大力扶持新工業制度
（1）進行調研，起草關于該工業的需要及發展前景的基本政策報告；
（2）由通產省批準外匯配額，由開發銀行對該工業提供貸款；
（3）頒發外國技術進口許可證；
（4）確定為戰略性產業，準許對其投資作特別和加速折舊；
（5）無償或以象征性價格提供整修好的土地，以便建造廠房和安裝設備；
（6）減免關控性稅收；
（7）成立行政指導卡特爾，在各個公司之間調節競爭和協調投資。
日本產業政策的制定和實施主要是由其經濟產業省（通產省），通產省通過電子工業振興運動、大規模集成電路攻關等，在政府強有力的領導和干預下，極大地促進了日本機械與電子工業的發展。
它山之石二--日本VLSI
日本微電子產業起飛的關鍵在于VLSI合作研究組織，使得核心共性技術得以成功突破，為以后本國產業的發展提供了平臺和基礎。20世紀70年代中期，鑒于超大規模集成電路技術就成為影響信息產業整體發展的關鍵共性核心技術，其難以靠單個企業的力量來實現突破。
日本政府與日本主要計算機公司聯合簽署組成了超大規模集成電路（VLSI）研究協會的協議，日本VLSI研究協會包括NEC（日本電氣）、日立、三菱、富士通和東芝等五家日本最大的計算機公司，還有日本通產省的電氣技術實驗室（EFL）；兩個先前成立的公司聯合研究機構也參與了VLSI研究協會，一個是日立、三菱、富士通聯合建立的CDL,一個是NEC和東芝聯合建立的NTIS.
VLSI研究協會的總投入為300億日元，折合當時的3.06億美元，其中1.32億美元是日本政府的貼息貸款，其余的1.76億美元由五大公司分攤。通過四年的合作，VISL研究協會共申請了1000項專利，其中600項取得了專利權。在技術成果上取得了一系列突破，使得日本在DRAM生產居世界領先地位，在產業內部建立了一系列工業標準。日本的VLSI合作研究組織對于日本微電子產業的發展乃至于日本整個信息產業的發展起到了重要的作用，使得日本微電子產業在世界上的相對地位發生了明顯轉變，使得日本與美國在微電子領域的差距從10年以上縮短到幾乎沒有差距。通過VLSI的實施提升了日本整體微電子行業的技術水平。
日本微電子產業的發展經驗，有兩個鮮明的里程碑，一個就是通過VLSI合作研究組織的建立，實現了微電子產業核心共性技術的突破，為了企業的進一步發展提供了平臺；另外一個就是通過正確的核心競爭能力戰略的實施，迅速提升了公司自身的核心競爭能力，從而贏得了市場競爭優勢。
綜上所述，在照明領域，LED的應用將以其綠色節能的性能，成為繼明火和白熾燈之后的第三次照明變革。(慧聰網)
